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| 传英特尔在中国建芯片制造厂 采用90纳米工艺 |
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来源:CNET科技资讯网 时间:2007-3-14 10:03:40 作者: 编辑:李丹凤 |
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3月14日国际报道 据媒体报道称，英特尔即将宣布扩展在中国的制造帝国。
包括华尔街日报、金融时报在内的许多媒体都援引中国发改委网站上公布的消息报道称，英特尔已经和中国政府就在大连市东北部投资25亿美元建设一座芯片制造厂达成了协议。 英特尔一名代表拒绝就此报道发表评论，只是表示公司还没有公布这样的消息。在中国发改委的英文版网站上也没有发现这样的消息。 但是，随着4月份在中国举办英特尔开发商论坛（IDF）时间的日益临近，英特尔可能在未来数周内公布这一消息。如果这一消息得到证实，这将是英特尔和美国芯片产业在中国的一个里程碑。 目前，英特尔在成都和上海浦东有自己的封装、测试工厂，但是，这两个工厂只负责对处理器进行测试，并完成最后的封装工序。 据媒体报道称，新的芯片制造工厂将使用90纳米工艺在300毫米晶圆片上生产微处理器。目前，英特尔正在全面转向65纳米工艺。 多年来，一直有传言称英特尔将在中国设立芯片制造工厂，但是，面临的一大障碍是阻止包括中国在内的一些国家购买先进军用技术的瓦森那协议。 瓦森那协议网站上的资料显示，比18纳米更先进的芯片制造工艺都在禁止之列。实际上，只要不将最先进的技术出口到这些国家，一般都可以获得执照。 自2004年以来，英特尔的董事长贝瑞特对在中国建立芯片制造工厂一直很悲观。贝瑞特在圣何塞举行的一次会议上说，美国政府绝对不会同意我们在中国建设使用90纳米工艺在300毫米晶圆片上生产微处理器的芯片工厂，美国的出口管制政策影响了美国公司在中国市场上的竞争力。 但目前，英特尔在中国建设芯片制造工厂的计划可能实现，90纳米工艺比英特尔目前最先进的45纳米工艺要整整落后二代。英特尔计划使用较落后的工艺制造低端芯片和芯片组。 | |
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